如何规避可控硅模块的缺陷

上篇文给大家讲了可控硅模块的优点，现在我们来讲讲可控硅模块的缺陷之处，如过载和抗干扰能力差。在控制大型感性负载时，会对电网产生干扰和自干扰等，那么，我们该如何规避这些缺点呢?

1. 对于灵敏度

它是一个三端元件，但我们不再称它为两极阳极和阴极，而是T1和T2。G是控制极。施加在控制电极上的电压，无论是正触发脉冲还是负触发脉冲，都可以打开控制电极；

2. 对于过流保护

可控硅调压模块有许多优点，但过载能力差。短期过电流和过电压会损坏部件，所以，为了保证元件的正常工作，需要具备以下条件：

①在施加的电压下，允许超过正向转向电压，否则控制极不工作；

②通常从安全角度取平均通态电流；

③为保证控制极可靠触发，加在控制极上的触发电流一般大于其额定值。此外，必须采取保护措施。过流保护措施一般为：电路中串联一个快速熔断器，其额定电流约为平均电流的倍。连接位置可在交流侧或直流侧，额定电流在交流侧。前者通常用于保护电路的交流侧免受大电压冲击。由于过电压峰值高、动作时间短，通常采用阻容吸收电路来控制过电压。

以上就是今天小编整理的可控硅模块的缺陷之处以及如何规避这些缺陷之处，希望能对大家有所帮助。